Электрические свойства диодов Шоттки на высокоомных кристаллах CdTe
Украинец В.О., Ильчук Г.А., Украинец Н.А., Рудь Ю.В., Иванов-Омский В.И.
Письма в ЖТФ, 1999, том 25, вып.
16. - 6 с.Проведено измерение высоты барьера Шоттки на монокристаллах, легированных галогенами Cl, Br, J в процессе выращивания методом химических транспортных реакций, посредством предлагаемой модификации авторами F(V)-функции.
16. - 6 с.Проведено измерение высоты барьера Шоттки на монокристаллах, легированных галогенами Cl, Br, J в процессе выращивания методом химических транспортных реакций, посредством предлагаемой модификации авторами F(V)-функции.
Jezik:
russian
Fajl:
PDF, 91 KB
IPFS:
,
russian0
Litres
Želite da dodate knjižaru? Kontaktirajte nas na support@z-lib.do
File converter
Više rezultata pretrage
More benefits 
