pretraga knjiga
knjige
Donirati
Prijaviti se
Prijaviti se
prijavljenim korisnicima su dostupni:
lične preporuke
Telegram bot
istorija preuzimanja
poslati na Email ili Kindle
upravljanje zbirkama
sačuvanje u izabrano
Lično
Upite za knjige
Proučavanje
Z-Recommend
Spiskovi knjiga
Najpopularnije
Kategorije
Učešće
Donirati
Otpremanja
Litera Library
Donirati papirne knjige
Dodati papirne knjige
Search paper books
Moj LITERA Point
Pretraga ključnih reči
Main
Pretraga ključnih reči
search
1
Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors: Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling
Springer India
Souvik Mahapatra (eds.)
stress
nbti
δvt
devices
gate
measured
hkmg
degradation
shown
mosfets
evolution
pbti
generation
recovery
δvit
dependence
traps
bti
insulator
measurements
δnit
mahapatra
tstr
eox
chap
electron
exponent
trapping
delay
dciv
shows
reliability
device
discussed
method
measurement
bias
msm
figure
obtained
physics
pdc
temperature
δvht
symposium
impact
parameters
proceedings
activation
fixed
Godina:
2016
Jezik:
english
Fajl:
PDF, 20.69 MB
Vaši tagovi:
0
/
0
english, 2016
1
Idite na
ovaj link
ili potražite bota „@BotFather“ u Telegramu
2
Pošaljite komandu /newbot
3
Navedite ime za svog bota
4
Navedite korisničko ime za bota
5
Kopirajte poslednju poruku od BotFather i ubacite je ovde
×
×